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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/2307/470

Title: Nanodispositivi elettronici con eterostrutture AlGaN/GaN
Authors: Di Gaspare, Alessandra
Tutor: Evangelisti, Florestano
Issue Date: 27-Jan-2009
Publisher: Università degli studi Roma Tre
Abstract: Nell'ambito della ricerca scientifica sui dispositivi elettronici a semiconduttore, il Nitruro di Gallio (GaN) è stato oggetto negli ultimi dieci anni di un interesse sempre crescente, grazie alle straordinarie caratteristiche fisiche del gas bidimensionale (2DEG, Two-Dimensional Electron Gas) ottenibile nelle eterostrutture composte dal GaN e dal Nitruro di Gallio e Alluminio (AlGaN). Le eterostrutture AlGaN/GaN sono state utilizzate nella realizzazione di transistor a elevata mobilità (HE
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URI: http://hdl.handle.net/2307/470
Appears in Collections:Dipartimento di Fisica 'Edoardo Amaldi'
T - Tesi di dottorato

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