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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/2307/5903

Title: Transistor MOS a barriera Schottky in silicio policristallino
Authors: De Iacovo, Andrea
Tutor: Colace, Lorenzo
Keywords: Transistor
Schottky
SB-FET
POLY-SI
Issue Date: 20-Apr-2016
Publisher: Università degli studi Roma Tre
Abstract: L’elettronica integrata è stata, fin dai suoi albori, caratterizzata da un’evoluzione tecnologica estremamente rapida che ha permesso la diffusione capillare dei dispositivi elettronici ad altissima scala di integrazione. Nell’ultimo decennio, tuttavia, molti sforzi tecnologici e di innovazione sono stati rivolti anche ad ambiti in cui non sono richiesti elevati livelli di integrazione ma dove, al contrario, è preferibile ottenere dispositivi polifunzionali, estremamente leggeri e con consumi pa
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URI: http://hdl.handle.net/2307/5903
Access Rights: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:Dipartimento di Scienze
T - Tesi di dottorato

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