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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/2307/652

Title: Stabilità elettrica ed effetti di canale corto dei transistor a film sottile a silicio policristallino
Authors: Gaucci, Paolo
Tutor: Conte, Gennaro
Issue Date: 23-Apr-2010
Publisher: Università degli studi Roma Tre
Abstract: I transistor a film sottile di silicio policristallino (TFT , Thin Film Transistor) hanno raggiunto negli ultimi anni un ruolo sempre più rilevante nella microelettronica su larga area (LAM). La crescente attenzione rivolta a questi dispositivi è dovuta alla possibilità di coniugare un costo relativamente basso con elevate prestazioni, infatti in termini di mobilità e stabilità questi dispositivi sono nettamente migliori a quelli realizzati in silicio amorfo. L’introduzione della ricristall
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URI: http://hdl.handle.net/2307/652
Appears in Collections:Dipartimento di Ingegneria elettronica
T - Tesi di dottorato

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